1.產(chǎn)品氮氣壓力高于8bar時有三種方案：

第一種方案：返流膨脹制氮流程同時配置產(chǎn)品氮壓機，膨脹機增壓端增壓產(chǎn)品氮氣或者正流空氣，空壓機壓力取最低返流膨脹壓力，產(chǎn)品提取率可達38%左右。

第二種方案：正流膨脹制氮流程同時配置產(chǎn)品氮壓機，膨脹機增壓端增壓產(chǎn)品氮氣或者正流空氣，最低精餾塔壓力4bar，產(chǎn)品提取率可達45%左右，液體量可以生產(chǎn)較大。

第三種方案：返流膨脹流程，膨脹機增壓端增壓產(chǎn)品氮氣或者正流空氣，出冷箱直接的產(chǎn)品所需壓力，缺點是返流膨脹壓力高，造成部分有效能未利用。

2.產(chǎn)品氮氣在5到8bar之間時有兩種方案：

第一種方案：返流膨脹流程，膨脹機增壓端增壓產(chǎn)品氮氣或者正流空氣。

第二種方案：正流膨脹流程，膨脹機增壓端增壓產(chǎn)品氮氣或者正流空氣，外加產(chǎn)品氮壓機壓縮，壓力高時這種流程優(yōu)勢大。

3.產(chǎn)品氮氣在0到5bar時有四種方案：

第一種方案：返流膨脹流程，膨脹機增壓端增壓產(chǎn)品氮氣或者正流空氣，然后節(jié)流至所需壓力，一般在4到5bar;返流膨脹空氣壓縮機壓力較產(chǎn)品氮氣的壓力要求高0.8bar。

第二種方案：正流膨脹流程，膨脹機增壓端增壓產(chǎn)品氮氣或者正流空氣，產(chǎn)品壓力直接獲得，一般產(chǎn)品氮氣在4bar到5bar。正流膨脹壓縮機壓力較產(chǎn)品氮氣高1.5bar左右，但是其提取率較高，膨脹空氣先增壓，后膨脹，然后直接放空作為再生氣;產(chǎn)品規(guī)模大于10000Nm3/h時可以單獨設(shè)置增壓機去增壓膨脹空氣，膨脹后進塔，這樣可以提高產(chǎn)品量。

第三種方案：雙塔精餾流程，這種流程將上塔中部的富氧作為廢氣排放去純化器做再生氣，上塔底部大量富氧作為非產(chǎn)品氣抽出，這樣可以提高上塔排壓，滿足產(chǎn)品氮氣壓力要求，節(jié)省氮氣產(chǎn)品壓縮能耗。這種流程可以獲得兩種壓力的產(chǎn)品氮氣分別是0到2bar和5bar左右或者更高。

第四種方案：雙塔雙冷凝流程，將上塔底部富氧節(jié)流后上塔頂部的冷凝頭，這樣可以獲得0到3bar和5到7bar或者更高產(chǎn)品氮氣，這種流程產(chǎn)品提取率高，可達60%左右。

4.產(chǎn)品氮氣為主氧氣為輔有兩種方案

第一種方案：掛氧塔返流制氮流程，適宜生產(chǎn)氧氣占氮氣量10%到20%的氧氣產(chǎn)品要求。

第二種方案：雙塔流程，通過將污氮抽口及下塔物料進上塔的進料口下移，可以使產(chǎn)品氧氣占產(chǎn)品氮氣30%到50%左右，但是需要滿足純化系統(tǒng)再生氣體需求。

5.高純氮節(jié)能流程有兩種方案：

第一種方案：高純氮返流全膨脹節(jié)能流程：采用全膨脹，多余冷量采取在膨脹機后抽一股低溫氣體與污氮氣混合至-20℃左右，然后去鋁制板翅式換熱器換熱，省去冷水機組。

第二種方案：高純氮正流全膨脹節(jié)能流程：采用全膨脹，這樣可以降低空壓機排氣壓力，節(jié)省能耗，但是膨脹機的葉輪直徑會增大，投資相應(yīng)增多。

6.變壓吸附有兩種方案：

第一種方案：粗制氮氣，純度達到99.99%，精制氮氣，純度達到99.999%，單套可以做到3000Nm3/h左右，可以多套組合，按照需要?；蛘唛_，不需要液體產(chǎn)品。

第二種方案：粗制氮氣，純度達到99.99%，精制氮氣，純度達到99.999%，單套可以做到3000Nm3/h左右，可以多套組合，按照需要?；蛘唛_，需要液體產(chǎn)品，采取配套外液化裝置，可以自由停車或者開車，優(yōu)點是節(jié)省能耗，缺點是投資大。

7.超高純氮氣

超高純氮氣主要用于電子工業(yè)，在集成電路、芯片(晶片)和相關(guān)元器件的生產(chǎn)過程中，超高純氮氣與普通氮氣相比，對以下條件有嚴格要求，目前一般要求總雜質(zhì)含量集成電路要求：4ppm，芯片要求：1ppm或者更高，同時設(shè)計電子工業(yè)用高純氮裝置時，要重視裝置所在大氣組成的測定，且設(shè)計一定要留有余量。其難點和要點主要是一氧化碳、氫和水分的達標，為此，要采取不同的凈除方法：

(1)CO的凈除：利用壓縮機的壓縮熱，在觸媒的幫助下，通過催化反應(yīng)，除去一氧化碳，可以使產(chǎn)品中所含CO降低到0.1ppm以下。

(2)CO2的凈除：通過分子篩床層吸附。

(3)氫氣等低沸點組分的凈除：氫氣，氦氖氣都是沸點比氮氣低的組分，在一氧化碳轉(zhuǎn)化爐中，空氣中的氫氣生成水，然后從冷凝蒸發(fā)器排出不凝氣體，放空以使低沸點組分除去，但是其純度仍然不夠，仍需要通過特殊流程組織比如采用加設(shè)純氮精餾輔塔，在液氮頂部設(shè)置冷凝器，底部設(shè)置再沸器，增大循環(huán)倍率來除去低沸點的氫氣等雜質(zhì)。

(4)甲烷等高沸點組分的凈除：甲烷等烴類氣體以及氪氙等稀有氣體的沸點比氮氣高得多，它們會全部濃縮到塔底的富氧液空中，達標沒有問題。

(5)水分的凈除：通過分子篩床層吸附，同時水分有最高的沸點，達到要求沒問題。

(6)顆粒度：通過精密過濾器來滿足。

超高純制氮裝置可以通過使用一氧化碳轉(zhuǎn)爐及特殊的冷箱流程設(shè)計，完全可以達到或者超過標準要求，方案有兩個：

第一種方案：常規(guī)制氮裝置，加氮氣終端凈化器獲得，但是投資需增加30%左右。

第二種方案：在制氮流程中采用一氧化碳轉(zhuǎn)化爐，配置氮氣精餾輔塔，使氫氣等雜質(zhì)作為廢氣放空，這樣便可除去低沸點的氫氣，制取得到超高純氮氣。